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        gcl

        产品

        保利协鑫是全球规模、技术领先的多晶硅生产企业之一,也是全球硅片产能较大的企业,硅片年产能15吉瓦,2014年全球市占率30%。与此同时,通过技术研发和工艺革新,保利协鑫不断推出广受市场欢迎的“鑫单晶G系列”、高效多晶S系列(“鑫多晶S2”、“鑫多晶S3”、“鑫多晶S3+”及“鑫多晶S4”),促使光电转换效率每6个月提升0.3-0.4个百分点,引领着国内硅片产品高效化市场的发展方向,推动电池、组件产品效率不断攀升,满足市场高效需求。

        硅料
        硅片
        GCL

        GCL改良西门子法多晶硅

        公司通过引进国际高端装置和技术,深化组合、集成再造,打造出了具有自主知识产权的GCL法工艺,实现了具有中国特色的多晶硅生产“绿色”制造。同时依靠自主研发并获得国家专利的氯氢化装置,可以将多晶硅生产过程中产生的副产物-四氯化硅全部转化为多晶硅生产中的原料-三氯氢硅,实现物料循环利用及“零排放”,并大幅度降低生产成本,实现了多晶硅低成本、低能耗,高质量且环保的行业领跑水平。目前高纯电子级产品比例持续上升,公司在能耗、生产成本及产品质量方面已达到行业领先水平。

        GCL

        硅烷流化床法颗粒硅

        流化床:
        中能硅业通过自主研发和中试装置成功开发了硅烷流化床法,生产的颗粒硅产品达到电子多晶硅标准,为下游提供高品质、低成本的原料,填补了国内硅烷法制备多晶硅技术的空白,将有力推动高效太阳能电池产业的发展。

        硅烷气:
        硅烷气制备工艺专注于物料闭路循环,以最低能耗、最高产率获得高纯硅烷气,不仅为硅烷流化床提供高品质原料保证,也可以单独作为产品出售。

        GCL

        鑫多晶-S2硅片

        鑫多晶-S2系列硅片是GCL通过对晶体生产理论的深刻理解,设计先进而独创的热场,开发精细的工艺,采用自产的优质硅料,在严格的质量控制下生产制造出来的高效硅片,将助力电池、组件客户打造更具竞争力、更有价值的产品。

        • 独特的晶体结构
        • 低氧、碳浓度
        • 低金属杂质浓度
        • 低位错、层错、晶界等缺陷密度
        • 均匀的杂质分布
        GCL

        鑫多晶-S3硅片

        鑫多晶S3基于S2平台全面提升。热场、工艺、材料的持续进步,赋予了鑫多晶S3更高的性能表现。

        • 效率较S2提高0.2%-0.3%
        • 效率分布集中度进一步提升
        • 对电池工艺及辅材无特殊要求
        GCL

        鑫多晶 S3+硅片

        鑫多晶S3+在主流客户端的试用平均转换效率已达到18.1%-18.2%,性能稳定,客户评价高。

        • 电池效率平均值达到18%以上
        • 效率分布更加集中
        • 为客户提供更多附加价值
        GCL

        鑫多晶-S4硅片

        “鑫多晶 S4”是保利协鑫最新一代鑫多晶产品,具备如下三方面显著的技术特点:一是 GCL 新高效工艺高纯坩埚的使用,有效解决了多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,提高转换率;二是长晶技术新平台进一步提高了转换效率,通过对硅片尺寸的优化设计,有效地提高了后端组件的输出功率;三是投入量产全新的共掺杂技术,彻底解决了多晶电池片的光衰问题,为后续的 PERC 等高效工艺提供更宽广的空间。

        • 共掺杂技术——组件光衰平均低1%
        • 黑边缺陷改善——组件可靠性大幅提高
        • 硅片尺寸更大——更高的组件功率输出
        GCL

        鑫单晶-G2硅片

        “鑫单晶 G2”定位于高效硅片市场的主流应用,将为高端客户提供最具市场竞争力的单晶产品。相较于以传统直拉法制得的单晶产品,“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益,光衰平均低1%,同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点,是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。

        • 高于G1基线1%绝对的效率提升,平均转化效率接近直拉单晶
        • 业界领先的装料工艺和铸锭工艺
        • 投料量大,操作简单,低成本
        • 单一晶向,低缺陷
        • 提供280/335W(60/72 pcs)以上组件最佳技术解决方案
        GCL

        N型单晶系列硅片

        保利协鑫最新N型直拉单晶硅片系列产品,通过计算机模拟优化热场设计,结合工艺优化和原料、辅材质量提升,有效降低氧含量,严格控制缺陷,提高少子寿命,适用更高效电池技术需求。同时提供多种规格尺寸和切割方式供客户选择,提高组件输出功率。

        • 行业领先的单晶生产技术,结合热场模拟、优化和一流的切片技术
        • 自产多晶硅原料、品质稳定
        • 高少子寿命
        • 低碳、氧浓度
        GCL

        P型单晶硅片

        拥有国内领先的单晶生长技术、单晶炉热屏技术和一流的切片技术,采用自产优质多晶硅料,导入精益生产,严格推行生产现场6S、EHS管理,可向客户提供优质高效6-8英寸单晶硅片。

        • 完整的单晶结构
        • 高少子寿命
        • 均匀的掺杂分布
        • 低碳、氧浓度
        GCL

        保利协鑫能源控股有限公司

        • 官网链接
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